买卖IC网 >> 产品目录 >> SI6543DQ-T1-GE3 MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI6543DQ-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 3.9/2.5A 1.0W 6.5/8.5mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N and P-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 3.9 A, 2.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 65 mOhms, 85 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSSOP-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI6543DQ-T1-GE3
SI6544BDQ-T1-E3
SI6544BDQ-T1-GE3
SI6544DQ
SI6544DQ-T1
SI6544DQ-T1-E3
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